T/CIE 145-2022 英文版, T/CIE 145-2022 辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法 - T/CIE 145-2022, T/CIET 145-2022, TCIET 145-2022, T/CIE145-2022, T/CIE 145, T/CIE145, T/CIET145-2022, T/CIET 145, T/CIET145, TCIET145-2022, TCIET 145, TCIET145

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T/CIE 145-2022 辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法 (英文)
标准编号:	T/CIE 145-2022	标准状态:	valid 订阅状态变动提醒电子邮箱:
翻译语言:	英文	文件格式:	PDF

标准编号:	T/CIE 145-2022
中文名称:	辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法
英文名称:	Measurement method of radiation induced traps by deep level transient spectroscopy
中标分类:	L40 半导体分立器件综合
行业分类:	T/ 团体标准
ICS分类:	31.080.01 31.080.01 半导体器件综合 31.080.01
发布机构:	中国电子学会
发布日期:	2022-12-31
标准状态:	valid
翻译语言:	英文
文件格式:	PDF

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