| 标准编号 |
标准名称 |
交付时间 |
标准状态 |
| GB/T 4937.39-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第39部分：半导体器件用有机材料的潮气扩散率和水溶解度测量 |
1~5 个工作日 |
to be valid,,2026-7-1 |
| GB/T 4937.40-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第40部分：采用应变仪的板级跌落试验方法 |
1~5 个工作日 |
to be valid,,2026-7-1 |
| GB/T 4937.44-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验方法 |
1~3 个工作日 |
to be valid,,2026-7-1 |
| GB/T 4937.33-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第33部分：加速耐湿 无偏置高压蒸煮 |
1~3 个工作日 |
to be valid,,2026-7-1 |
| GB/T 4937.38-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第38部分：带存储的半导体器件的软错误试验方法 |
1~3 个工作日 |
to be valid,,2026-7-1 |
| GB/T 4937.36-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第36部分：稳态加速度 |
1~3 个工作日 |
to be valid,,2026-7-1 |
| GB/T 4937.16-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第16部分：粒子碰撞噪声检测（PIND） |
1~3 个工作日 |
to be valid,,2026-5-1 |
| GB/T 45720-2025 |
半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 |
1~5 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
| GB/T 45721.1-2025 |
半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验 |
1~5 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
| GB/T 45722-2025 |
半导体器件 恒流电迁移试验 |
1~3 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
| GB/T 45719-2025 |
半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 |
1~3 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
| GB/T 45718-2025 |
半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 |
1~5 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
| GB/T 45716-2025 |
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 |
1~3 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
| T/CEPEA 0101-2023 |
IGBT模块焊接质量X射线实时成像检测方法 |
1~5 个工作日 |
valid,,2024-3-15 |
| GB/T 20870.4-2024 |
半导体器件 第16-4部分：微波集成电路 开关 |
1~5 个工作日 |
valid,,2024-10-26 |
| GB/T 4937.35-2024 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第35部分：塑封电子元器件的声学显微镜检查 |
1~3 个工作日 |
valid,,2024-7-1 |
| GB/T 4937.34-2024 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分：功率循环 |
1~3 个工作日 |
valid,,2024-7-1 |
| T/SLEIA 0003-2024 |
光电耦合器可靠性评价方法 |
个工作日 |
valid,,2024-2-26 |
| T/CIE 145-2022 |
辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法 |
1~3 个工作日 |
valid,, |
| GB/T 20870.5-2023 |
半导体器件 第16-5部分：微波集成电路 振荡器 |
1~5 个工作日 |
valid,,2024-1-1 |
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