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| DB52/T 1104-2016 |
半导体器件结-壳热阻瞬态测试方法 |
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付款后 个工作日 |
valid,,2016-10-1 |
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| GB/T 11499-2001 |
半导体分立器件文字符号 |
3440.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2002-6-1 |
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| GB/T 12560-1999 |
半导体器件 分立器件分规范 |
1240.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2000-3-1 |
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| GB/T 17573-1998 |
半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则 |
3510.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,1999-6-1 |
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| GB/T 20516-2006 |
半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件 |
4680.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2007-2-1 |
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| GB/T 20521-2006 |
半导体器件 第14-1部分：半导体传感器-总则和分类 |
620.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2007-2-1 |
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| GB/T 20522-2006 |
半导体器件 第14-3部分：半导体传感器-压力传感器 |
780.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2007-2-1 |
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| GB/T 20870.1-2007 |
半导体器件 第16-1部分：微波集成电路 放大器 |
2260.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2007-9-1 |
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| GB/T 20870.2-2023 |
半导体器件 第16-2部分：微波集成电路 预分频器 |
2030.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2023-9-7 |
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| GB/T 20870.4-2024 |
半导体器件 第16-4部分：微波集成电路 开关 |
2030.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2024-10-26 |
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| GB/T 20870.5-2023 |
半导体器件 第16-5部分：微波集成电路 振荡器 |
2310.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2024-1-1 |
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| GB/T 249-2017 |
半导体分立器件型号命名方法 |
420.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2017-12-1 |
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| GB/T 29332-2012 |
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
3000.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2013-6-1 |
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| GB/T 45716-2025 |
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 |
1260.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
to be valid,,2025-9-1 |
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| GB/T 45718-2025 |
半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 |
1470.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
to be valid,,2025-9-1 |
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| GB/T 45719-2025 |
半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 |
1260.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
to be valid,,2025-9-1 |
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| GB/T 45720-2025 |
半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 |
1750.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
to be valid,,2025-9-1 |
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| GB/T 45721.1-2025 |
半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验 |
2030.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
to be valid,,2025-9-1 |
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| GB/T 45722-2025 |
半导体器件 恒流电迁移试验 |
1260.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
to be valid,,2025-9-1 |
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| GB/T 4589.1-2006 |
半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 |
2340.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2007-2-1 |
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