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GB/T 45719-2025   半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 (英文版)
标准编号: GB/T 45719-2025 标准状态:valid 订阅状态变动提醒
译文语言:英文 文件格式:PDF
中文字符数: 18000 字 翻译价格(元):1260.0 订阅价格变动提醒
实施日期:2025-9-1 交付时间: 付款后 1~3 个工作日
标准编号: GB/T 45719-2025
中文名称: 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验
英文名称: Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors
中标分类: L40    半导体分立器件综合
行业分类: GB    国家标准
ICS分类: 31.080.01 31.080.01    半导体器件综合 31.080.01
发布机构: 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期: 2025-05-30
实施日期: 2025-9-1
标准状态: valid
翻译语言: 英文
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