标准编号:	GB/T 14141-1993
中文名称:	硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
英文名称:	Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
中标分类:	H21    金属物理性能试验方法
行业分类:	GB    国家标准
发布机构:	国家技术监督局
发布日期:	1993-02-06
实施日期:	1993-10-1
标准状态:	superseded
被新标准替代:	GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
被替代日期:	2010-6-1
作废日期:	2010-06-01
翻译语言:	英文

本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2~3μm的薄层，测量范围为250~5000Ω；对于厚度不小于3μm的薄层，薄层电阻的测量下限可达10Ω。