| 标准编号 |
标准名称 |
交付时间 |
标准状态 |
| GB/T 4937.44-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验方法 |
付款后 1~3 个工作日 |
to be valid,,2026-7-1 |
| GB/T 4937.33-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第33部分：加速耐湿 无偏置高压蒸煮 |
付款后 1~3 个工作日 |
to be valid,,2026-7-1 |
| GB/T 4937.38-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第38部分：带存储的半导体器件的软错误试验方法 |
付款后 1~3 个工作日 |
to be valid,,2026-7-1 |
| GB/T 4937.36-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第36部分：稳态加速度 |
付款后 1~3 个工作日 |
to be valid,,2026-7-1 |
| GB/T 46567.1-2025 |
智能计算 忆阻器测试方法 第1部分：基础特性 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-10-31 |
| GB/T 4937.16-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第16部分：粒子碰撞噪声检测（PIND） |
付款后 1~3 个工作日 |
to be valid,,2026-5-1 |
| GB/T 45720-2025 |
半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
| GB/T 45721.1-2025 |
半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
| GB/T 45722-2025 |
半导体器件 恒流电迁移试验 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
| GB/T 45719-2025 |
半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
| GB/T 45718-2025 |
半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
| GB/T 45716-2025 |
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
| T/CEPEA 0101-2023 |
IGBT模块焊接质量X射线实时成像检测方法 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2024-3-15 |
| T/CASAS 044-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高压高温高湿反偏试验方法 |
付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
| T/CASAS 045-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法 |
付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
| T/CASAS 043-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法 |
付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
| T/CASAS 046-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法 |
付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
| T/CASAS 042-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅偏试验方法 |
付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
| T/CASAS 037-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法 |
付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
| T/CASAS 033-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法 |
付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
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