| 标准编号 |
标准名称 |
翻译价格(元) |
交付时间 |
标准状态 |
加入购物车 |
| GB/T 46567.1-2025 |
智能计算 忆阻器测试方法 第1部分：基础特性 |
1120.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-10-31 |
|
| GB/T 45722-2025 |
半导体器件 恒流电迁移试验 |
1260.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
|
| GB/T 45720-2025 |
半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 |
1750.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
|
| GB/T 45721.1-2025 |
半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验 |
2030.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
|
| GB/T 45718-2025 |
半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 |
1470.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
|
| GB/T 45719-2025 |
半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 |
1260.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
|
| GB/T 45716-2025 |
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 |
1260.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-9-1 |
|
| GB/T 44849-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 金属膜材料成形极限测量方法 |
1750.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2025-5-1 |
|
| GB/T 44517-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法 |
1260.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-4-1 |
|
| GB/T 44839-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 MEMS材料微柱压缩试验方法 |
1260.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2025-2-1 |
|
| GB/T 44513-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法 |
1470.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2025-1-1 |
|
| GB/T 44515-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 MEMS压电薄膜机电转换特性测量方法 |
1470.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2025-1-1 |
|
| DB32/T 4894-2024 |
微机电系统半导体气体传感器性能检测方法 |
|
付款后 个工作日 |
valid,,2024-12-7 |
|
| T/CASAS 044-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高压高温高湿反偏试验方法 |
|
付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
|
| T/CASAS 045-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法 |
|
付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
|
| T/CASAS 043-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法 |
|
付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
|
| T/CASAS 046-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法 |
|
付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
|
| T/CASAS 042-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅偏试验方法 |
|
付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
|
| T/CASAS 037-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法 |
|
付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
|
| T/CASAS 033-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法 |
|
付款后 个工作日 |
valid,,2024-11-19 |
|
|
|
|
