SJ 2214.4-1982 英文版, SJ 2214.4-1982 半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法 - SJ 2214.4-1982, SJ/T 2214.4-1982, SJT 2214.4-1982, SJ2214.4-1982, SJ 2214.4, SJ2214.4, SJ/T2214.4-1982, SJ/T 2214.4, SJ/T2214.4, SJT2214.4-1982, SJT 2214.4, SJT2214.4

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SJ 2214.4-1982 半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法 (英文版)
标准编号:	SJ 2214.4-1982	标准状态:	abolished 订阅状态变动提醒电子邮箱:
译文语言:	英文	文件格式:	PDF
中文字符数:	2000 字	翻译价格(元):	100.0 订阅价格变动提醒电子邮箱:
实施日期:	1983-7-1	交付时间:	付款后 1~3 个工作日

标准编号:	SJ 2214.4-1982
中文名称:	半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法
英文名称:	Method of measurement for reverse break-down voltage of semiconductor photodiodes
中标分类:	M01 技术管理
行业分类:	SJ 电子行业标准
发布日期:	1982-11-30
实施日期:	1983-7-1
标准状态:	abolished
被新标准替代:	SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法
被替代日期:	2015-10-1
作废日期:	2015-10-01
翻译语言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符数:	2000 字
翻译价格(元):	100.0
交付时间:	付款后 1~3 个工作日

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