SJ/T 12005-2025 英文版, SJ/T 12005-2025 功率半导体封装用活性金属钎焊（AMB）氮化硅陶瓷覆铜基板 - SJ/T 12005-2025, SJ 12005-2025, SJT 12005-2025, SJ/T12005-2025, SJ/T 12005, SJ/T12005, SJ12005-2025, SJ 12005, SJ12005, SJT12005-2025, SJT 12005, SJT12005

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SJ/T 12005-2025 功率半导体封装用活性金属钎焊（AMB）氮化硅陶瓷覆铜基板 (英文)
标准编号:	SJ/T 12005-2025	标准状态:	valid 订阅状态变动提醒电子邮箱:
翻译语言:	英文	实施日期:

标准编号:	SJ/T 12005-2025
中文名称:	功率半导体封装用活性金属钎焊（AMB）氮化硅陶瓷覆铜基板
英文名称:	Silicon nitride ceramic active metal brazing(AMB) copper clad substrates for power semiconductor packaging
行业分类:	SJ 电子行业标准
发布日期:	2025-05-12
标准状态:	valid
翻译语言:	英文

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