QJ A 1634-1996 英文版, QJ A 1634-1996 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 - QJ A 1634-1996, QJ/T A 1634-1996, QJT A 1634-1996, QJA1634-1996, QJ A 1634, QJA1634, QJ/TA1634-1996, QJ/T A 1634, QJ/TA1634, QJTA1634-1996, QJT A 1634, QJTA1634

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QJ A 1634-1996 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 (英文版)
标准编号:	QJ A 1634-1996	标准状态:	valid 订阅状态变动提醒电子邮箱:
译文语言:	英文	文件格式:	PDF
中文字符数:	6000 字	翻译价格(元):	460.0 订阅价格变动提醒电子邮箱:
实施日期:	1996-10-1	交付时间:	付款后 1~3 个工作日

标准编号:	QJ A 1634-1996
中文名称:	半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
英文名称:	Semiconductor discrete device - Detail specification for PNP silicon low-power transistor for Type 3CG110 GP\|\|
中标分类:	V13 航空与航天用非金属材料
行业分类:	QJ 航天工业行业标准
ICS分类:	49.025.50 49.025.50 粘合剂 49.025.50
实施日期:	1996-10-1
标准状态:	valid
替代旧标准:	QJ 1634-1989
翻译语言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符数:	6000 字
翻译价格(元):	460.0
交付时间:	付款后 1~3 个工作日

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