SJ 2658.9-1986 英文版, SJ 2658.9-1986 半导体红外发光二极管测试方法辐射强度空间分布和半强度角的测试方法 - SJ 2658.9-1986, SJ/T 2658.9-1986, SJT 2658.9-1986, SJ2658.9-1986, SJ 2658.9, SJ2658.9, SJ/T2658.9-1986, SJ/T 2658.9, SJ/T2658.9, SJT2658.9-1986, SJT 2658.9, SJT2658.9

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SJ 2658.9-1986 半导体红外发光二极管测试方法辐射强度空间分布和半强度角的测试方法 (英文版)
标准编号:	SJ 2658.9-1986	标准状态:	superseded 订阅状态变动提醒电子邮箱:
译文语言:	英文	文件格式:	PDF
中文字符数:	4000 字	翻译价格(元):	500.0 订阅价格变动提醒电子邮箱:
实施日期:	1986-10-1	交付时间:	付款后 1~3 个工作日

标准编号:	SJ 2658.9-1986
中文名称:	半导体红外发光二极管测试方法辐射强度空间分布和半强度角的测试方法
英文名称:	Methods of Measurement for Semiconductor Infrared Diodes - Methods of Measurement for the Intensity Space Distribution and Half-intensity Angle of Radiation
中标分类:	L53 半导体发光器件
行业分类:	SJ 电子行业标准
实施日期:	1986-10-1
标准状态:	superseded
被新标准替代:	SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法第9部分：辐射强度空间分布和半强度角
被替代日期:	2016-4-1
翻译语言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符数:	4000 字
翻译价格(元):	500.0
交付时间:	付款后 1~3 个工作日

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