标准编号:	GB/T 6616-1995
中文名称:	半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
英文名称:	Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage
中标分类:	H21    金属物理性能试验方法
行业分类:	GB    国家标准
发布机构:	国家技术监督局
发布日期:	1995-04-18
实施日期:	1995-1-2
标准状态:	superseded
被新标准替代:	GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
被替代日期:	2010-6-1
替代旧标准:	GB 6616-1986
翻译语言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符数:	6000 字
翻译价格(元):	1040.0
交付时间:	付款后 1~3 个工作日

本标准规定了硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻的非接触涡流测量方法。本标准适用于测量直径或边长大于30mm、厚度为0.1～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。