标准编号:	GB/T 29057-2012
中文名称:	用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
英文名称:	Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy
中标分类:	H80    半金属与半导体材料综合
行业分类:	GB    国家标准
ICS分类:	29.045 29.045    半导体材料 29.045
发布机构:	中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:	2012-12-31
实施日期:	2013-10-1
标准状态:	superseded
被新标准替代:	GB/T 29057-2023 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
被替代日期:	2024-3-1
翻译语言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符数:	18000 字
翻译价格(元):	1080.0
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本标准采用区熔拉晶法和光谱分析法来测量多晶硅棒中的施主、受主杂质浓度。测得的施主、受主杂质浓度可以用来计算按一定的目标电阻率生长单晶硅棒所需要的掺杂量,也可以用来推算非掺杂硅棒的电阻率。