标准编号:	GB/T 14863-2013
中文名称:	用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
英文名称:	Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
中标分类:	H80    半金属与半导体材料综合
行业分类:	GB    国家标准
ICS分类:	29.045 29.045    半导体材料 29.045
发布机构:	中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:	2013-12-31
实施日期:	2014-8-15
标准状态:	abolished
作废日期:	2017-12-19
替代旧标准:	GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
翻译语言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符数:	14000 字
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本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。
本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。