标准编号:	GB/T 1552-1995
中文名称:	硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
英文名称:	Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon and germanium with a collinear four-probe array
中标分类:	H21    金属物理性能试验方法
行业分类:	GB    国家标准
ICS分类:	77.040.30 77.040.30    金属材料化学分析 77.040.30
发布机构:	国家技术监督局
发布日期:	1995-04-18
实施日期:	1995-1-2
标准状态:	superseded
被新标准替代:	GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
被替代日期:	2010-6-1
替代旧标准:	GB 1552-1979 硅单晶电阻率直流四探针测量方法 GB 5251-1985 锗单晶电阻率直流四探针测量方法 GB 6615-1986 硅片电阻率的直排四探针测试方法
翻译语言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符数:	16000 字
翻译价格(元):	1360.0
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本标准规定了用直排四探针测量硅、锗单晶电阻率的方法。本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅、锗单晶的体电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍的硅、锗单晶圆片（简称圆片）的电阻率。