标准编号:	GB/T 13539.4-2009
中文名称:	低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求
英文名称:	Low-voltage fuses - Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices
中标分类:	K31    低压配电电器
行业分类:	GB    国家标准
ICS分类:	29.120.50 29.120.50    熔断器和其他过载保护 29.120.50
发布机构:	中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:	2009-04-21
实施日期:	2009-11-1
标准状态:	superseded
被新标准替代:	GB/T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求
被替代日期:	2016-11-1
作废日期:	2016-11-01
替代旧标准:	GB/T 13539.7-2005 低压熔断器 第4部分： 半导体设备保护用熔断体的补充要求 第1至第3篇：标准化熔断体示例 GB/T 13539.4-2005 低压熔断器 第4部分： 半导体设备保护用熔断体的补充要求
翻译语言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符数:	30000 字
翻译价格(元):	2880.0
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本部分的目的是确定半导体熔断体的特性,从而在相同尺寸的前提下,可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此,本部分中特别规定了:
a) 熔断体的下列特性:
1) 额定值;
2) 正常工作时的温升;
3) 耗散功率;
4) 时间电流特性;
5) 分断能力;
6) 截断电流特性和犐2狋特性;
7) 电弧电压极限值。
b) 验证熔断体特性的型式试验;
c) 熔断体标志;
d) 应提供的技术数据(见附录B)。