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SJ 53930/1-2002 |
半导体光电子器件GR8813型红外发射二极管详细规范 |
420.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2002-5-1 |
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SJ 2658.7-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 辐射通量的测试方法 |
180.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
abolished2016-04-01,2016-4-1,1986-10-1 |
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SJ 2658.12-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 峰值发射波长和光谱半宽度的测试方法 |
240.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
abolished2016-04-01,2016-4-1,1986-10-1 |
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GB 9492-1988 |
电子器件详细规范 FG341052、FG343053型半导体绿色发光二极管 |
1520.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,1988-12-1 |
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GB/T 36357-2018 |
中功率半导体发光二极管芯片技术规范 |
1190.0 |
付款后 1~5 个工作日 |
valid,,2019-1-1 |
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SJ 2658.4-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 电容的测试方法 |
180.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
abolished2016-04-01,2016-4-1,1986-10-1 |
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SJ 2658.13-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 输出光功率温度系数的测量方法 |
240.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
abolished2016-04-01,,1986-10-1 |
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SJ 2658.3-1986 |
半导休红外发光二极管测试方法 反向电压的测试方法 |
180.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
abolished2016-04-01,2016-4-1,1986-10-1 |
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GB/T 36356-2018 |
功率半导体发光二极管芯片技术规范 |
1190.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2019-1-1 |
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SJ 2658.5-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 正向串联电阻的测试方法 |
180.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
abolished2016-04-01,2016-4-1,1986-10-1 |
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SJ 2658.1-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 总则 |
60.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
abolished2016-04-01,2016-4-1,1986-10-1 |
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SJ 2658.10-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 调制带宽的测试方法 |
240.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
abolished2016-04-01,2016-4-1,1986-10-1 |
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SJ 2658.8-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 法向辐射率的测试方法 |
240.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
abolished2016-04-01,2016-4-1,1986-10-1 |
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SJ 2658.9-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 辐射强度空间分布和半强度角的测试方法 |
240.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
abolished2016-04-01,2016-4-1,1986-10-1 |
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JB/T 10875-2008 |
发光二极管光学性能测试方法 |
600.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2008-11-1 |
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SJ 2658.2-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 正向压降测试方法 |
180.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
abolished2016-04-01,2016-4-1,1986-10-1 |
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GB 9493-1988 |
电子器件详细规范 FG313052、FG314053、FG313054、FG314055型半导体红色发光二极管 |
1640.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,1988-12-1 |
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GB/T 36360-2018 |
半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范 |
996.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2019-1-1 |
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SJ 2658.6-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 输出光功率的测试方法 |
240.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,1986-10-1 |
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SJ 2658.11-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 脉冲响应特性的测试方法 |
240.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
abolished2016-04-01,2016-4-1,1986-10-1 |
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