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| GB/T 13387-2009 |
硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法 |
600.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2010-6-1 |
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| GB/T 13388-2009 |
硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 |
600.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2010-6-1 |
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| GB/T 14139-2009 |
硅外延片 |
600.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
superseded2020-05-01,2020-5-1,2010-6-1 |
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| GB/T 14141-2009 |
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 |
600.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2010-6-1 |
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| GB/T 14146-2009 |
硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 |
600.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
superseded,2021-12-1,2010-6-1 |
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| GB/T 14264-1993 |
半导体材料术语 |
1760.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
superseded2010-06-01,2010-6-1,1993-1-2 |
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| GB/T 14264-2009 |
半导体材料术语 |
4160.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2010-6-1 |
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| GB/T 14844-1993 |
半导体材料牌号表示方法 |
600.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
superseded2019-11-01,2019-11-1,1994-9-1 |
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| GB/T 14844-2018 |
半导体材料牌号表示方法 |
770.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2019-11-1 |
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| GB/T 14847-2010 |
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 |
1080.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2011-10-1 |
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| GB/T 14863-2013 |
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法 |
1200.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
abolished2017-12-19,,2014-8-15 |
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| GB/T 1551-2009 |
硅单晶电阻率测定方法 |
1920.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
superseded,2021-12-1,2010-6-1 |
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| GB/T 1553-2009 |
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 |
1280.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
superseded,2024-3-1,2010-6-1 |
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| GB/T 1554-2009 |
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 |
1920.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2010-6-1 |
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| GB/T 1555-2009 |
半导体单晶晶向测定方法 |
600.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
superseded,2024-3-1,2010-6-1 |
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| GB/T 1558-2009 |
硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法 |
600.0 |
付款后 1 个工作日 |
superseded,2024-7-1,2010-6-1 |
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| GB/T 16595-2019 |
晶片通用网格规范 |
290.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2020-2-1 |
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| GB/T 16596-2019 |
确定晶片坐标系规范 |
290.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2020-2-1 |
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| GB/T 24574-2009 |
硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 |
1280.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2010-6-1 |
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| GB/T 24576-2009 |
高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法 |
600.0 |
付款后 1~3 个工作日 |
valid,,2010-6-1 |
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